大平面溅射阴极靶

大平面溅射阴极
特点：
1、 采用*特的磁路设计，突破传统模式，更符合磁控溅射的理念。
2、 采用*特的结构设计，可以内置、外置，更符合使用要求。
3、磁铁不被冷却水包围，减少腐蚀，且保证磁力线的有效曲线分布。
4、*特的布气方式，更加保膜层溅射的均匀性，其等离子状态更加平衡。
5、 更高的溅射率，离子密度更强。
6、 更高的利用率，高达40%以上。
7、 尺寸范围：可在300-3000mm区间，保持一致的均匀性
8、使用范围：如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等
应用领域：
半导体、MEMS、TFT、ITO、LOW-E玻璃、硬质涂层、装饰性膜层